Hiện tại, công nghệ khuếch đại sử dụng sò FET GaN (Gallium Nitride), thay vì dùng silicon được nhiều nhà sản xuất chọn lựa như Technics SE-R1, Vivace GaNTube Monoblock, Merrill Audio Element 118… Tầng ra công suất LSA GAN 200 cung cấp hiệu suất âm thanh tốt hơn nhờ giảm nhiễu hài THD + N và nhiễu suy hao điều thế IMD, hiệu quả này có được nhờ vào công nghệ sò FET eGaN mới nhất. Hai cải tiến về nhiễu âm này hoàn toàn không thể đạt được với công nghệ sò FET silicon thông thường.
Những hiệu quả tốt hơn này cho phép Voyager GAN 200 tăng băng thông âm thanh mà không xuất hiện nhiễu ngoài dải tần, vốn là những yếu điểm thường thấy ở các bộ khuếch đại dùng chế độ Class D. Những hiệu quả tối ưu về hiệu suất, nhiễu âm cùng việc gỉam nhiễu EMI/EMC là kết quả của quá trình tái tạo nguồn switching ở mức gần lý tưởng, nhờ sử dụng công nghệ FET eGaN mới này. Với thời gian chuyển đổi nhanh hơn nhiều, việc không bị cường điệu quá mức, giảm dải tần số “chết” của tầng ra đầu ra cho phép Voyager GAN 200 trình diễn dải tần tuyến tính, hạn chế tối đa hồi tiếp.
Tất cả những ưu điểm của công nghệ FET eGaN của LSA sẽ giúp cải tiến đáng kể những nhược điểm thường thấy, tao một hiệu quả trình diễn chi tiết, tách bạch nhưng sân khấu vẫn đủ các lớp và có độ phân giải cao thay vì bị bó hẹp và thiếu hài âm như ampli Class D thông thường.
LSA Voyager GAN 200 có công suất 200W ở mức trở kháng loa 8 ohm và 400W ở mức 4 ohm. Chiếc ampli này còn được tích hợp hệ thống chống quá dòng, quá tải hoặc đoản mạch. Hiện tại, người dùng có thể mua trực tuyến poweramp này với giá 2500USD.
